供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
电流 - 集电极截止(最大值):
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 基底(R1):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IMH21T110 -
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IMH20TR1G ON Semiconductor
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IMH23T110 Rohm Semiconductor
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