系列:
零件状态:
供应商器件封装:
电流 - 集电极(Ic)(最大值):
电压 - 集射极击穿(最大值):
功率 - 最大值:
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
电阻器 - 基底(R1):
电阻器 - 发射极基底(R2):
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RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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HD1A3M(0)-T1-AZ Renesas Electronics America
TRANSISTOR NPN S...
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PIMD2,115 Nexperia USA Inc.
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