零件状态:
供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
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HN3A51F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 120V 0.1A...
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HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
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HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
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HN4A51JTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
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PUMT1,115 Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 40V 0.1A ...
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PEMT1,115 Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 40V 0.1A ...
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PEMT1,315 Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 40V 0.1A ...
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PUMT1,115 Nexperia USA Inc.
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PUMT1,115 Nexperia USA Inc.
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