零件状态:
封装/外壳:
供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
频率 - 跃迁:
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HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 120V 0.1A...
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DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 50V 0.1A ...
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DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated
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