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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
零件状态：
停產
(1)
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电压 - 集射极击穿（最大值）：
200V
(1)
35V
(1)
60V
(3)
晶体管类型：
2 个 NPN + 2 个 PNP（H 桥）
(1)
4 NPN 达林顿（双）
(1)
4 NPN（四路）
(2)
4 PNP（四路）
(1)
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
(4)
10µA（ICBO）
(1)
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
1V @ 10mA，1A
(1)
1V @ 200mA，2A
(2)
2V @ 1.5mA，1A
(1)
500mV @ 5mA，1A
(1)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
1000 @ 1A，4V
(1)
300 @ 500mA，4V
(1)
40 @ 1A，4V
(2)
500 @ 500mA，4V
(1)
已选条件：
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 3A
频率 - 跃迁 : -
封装/外壳 : 10-SIP
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