零件状态:
供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
增益:
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BFG198,115 NXP USA Inc.
RF TRANS NPN 10V 8G...
-
1 580 提交询价
BFG198,115 NXP USA Inc.
RF TRANS NPN 10V 8G...
-
1 580 提交询价
BFG198,115 NXP USA Inc.
RF TRANS NPN 10V 8G...
-
1 580 提交询价
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
RF TRANS NPN 6V 8G...
-
1 7,876 提交询价
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
RF TRANS NPN 6V 8G...
¥7.43
1 7,876 加入购物车 提交询价
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
RF TRANS NPN 6V 8G...
¥3.02
1,000 7,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条