零件状态:
供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
功率 - 最大值:
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
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¥1.83
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