- 封装/外壳：
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- 电流 - 集电极截止（最大值）：
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- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
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- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
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- 频率 - 跃迁：
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- 电阻器 - 发射极基底（R2）：
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2 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NP... |
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Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NP... |
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