供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
电阻器 - 发射极基底(R2):
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FJNS3210RBU ON Semiconductor
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FJNS3207RBU ON Semiconductor
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