零件状态:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 发射极基底(R2):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F VESM TRAN...
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BCR 192F E6327 Infineon Technologies
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