零件状态:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
频率 - 跃迁:
电阻器 - 基底(R1):
电阻器 - 发射极基底(R2):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BCR198E6393HTSA1 Infineon Technologies
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BCR192E6785HTSA1 Infineon Technologies
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NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor
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