电压 - 集射极击穿(最大值):
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):
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2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 375V S...
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2SC6042,T2HOSH1Q(J Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 375V S...
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2SC6040,T2Q(J Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 800V S...
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2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 800V S...
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2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 600V S...
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2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 600V S...
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2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 600V S...
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