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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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ON Semiconductor
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不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
120 @ 3A，4V
(2)
70 @ 3A，4V
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已选条件：
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
包装 : 管件
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） : 500mV @ 300mA，3A
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FJA3835TU
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FJP3835TU
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