封装/外壳:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.5...
-
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DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.5...
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DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.5...
¥1.30
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DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 5.2...
-
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DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 5.2...
¥5.06
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DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 5.2...
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