零件状态:
封装/外壳:
供应商器件封装:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APTC60VDAM45T1G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49...
¥344.51
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APTC60DSKM70T3G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 39...
-
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APTC60DDAM70T3G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 39...
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