晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 - 集管汇电子

包装：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

FET 功能：

已选条件：

16 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	DMN67D8LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.2...		¥0.57	3,000	580	加入购物车提交询价
	DMN61D9UDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		¥0.55	10,000	580	加入购物车提交询价
	DMN62D0UDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		¥0.50	10,000	580	加入购物车提交询价
	DMN67D8LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.2...		¥0.45	10,000	580	加入购物车提交询价
	DMN61D9UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		-	1	95,836	提交询价
	DMN61D9UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		¥2.92	1	95,836	加入购物车提交询价
	DMN61D9UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		¥0.69	3,000	93,000	加入购物车提交询价
	DMN62D0UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		-	1	21,510	提交询价
	DMN62D0UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		¥3.48	1	21,510	加入购物车提交询价
	DMN62D0UDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 60V 0.3...		¥0.63	3,000	18,000	加入购物车提交询价
	DMN3190LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 1A...		-	1	423,878	提交询价
	DMN3190LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 1A...		¥3.48	1	423,878	加入购物车提交询价
	DMN3190LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 1A...		¥0.63	3,000	423,000	加入购物车提交询价
	DMN3190LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 1A...		-	1	78,525	提交询价
	DMN3190LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 1A...		¥3.48	1	78,525	加入购物车提交询价
	DMN3190LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 1A...		¥0.50	10,000	70,000	加入购物车提交询价

1 / 1 页共 16 条

上一页下一页

深圳市福田区华强北路华强广场C座16A

Copyright ©2019-2027 集管汇电子 All Rights Reserved. 粤ICP备2022145825号-1