零件状态:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.4...
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PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.4...
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PMGD370XN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.7...
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PMGD370XN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.7...
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PMGD370XN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.7...
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PMGD400UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.7...
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PMGD400UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.7...
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PMGD400UN,115 NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.7...
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PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.4...
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PMGD290XN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 0.8...
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PMGD290XN,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 0.8...
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MOSFET 2N-CH 20V 0.8...
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