供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSO...
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IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies
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IPG20N06S2L65AATMA1 Infineon Technologies
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