供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 1.1...
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SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 1.1...
¥3.63
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SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 1.1...
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2N7002PS,125 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
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2N7002PS,125 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
¥3.00
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2N7002PS,125 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
¥0.54
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BSS138PS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
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BSS138PS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
¥3.40
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BSS138PS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
¥0.61
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2N7002PS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
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2N7002PS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
¥3.32
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2N7002PS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.3...
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