- 漏源电压（Vdss）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 70... |
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100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 8... |
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100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 20... |
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100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 500V 25... |
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100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 1... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 500V 26... |
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