- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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15 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.5... |
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1 | 6,311 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.5... |
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1 | 6,311 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.5... |
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5,000 | 5,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.4... |
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1 | 13,248 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.4... |
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1 | 13,248 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.4... |
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5,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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1 | 6,072 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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1 | 6,072 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.1... |
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1 | 35,670 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.1... |
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1 | 35,670 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.1... |
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3,000 | 33,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
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1 | 97,308 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
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1 | 97,304 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
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3,000 | 96,000 | 加入购物车 提交询价 |
