- 封装/外壳：
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- 功率 - 最大值：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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43 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 8S... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 8D... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10V 16S... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10V 16D... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
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