漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APTM50HM75SCTG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46...
¥965.97
100 580 加入购物车 提交询价
APTM50HM75FTG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46...
¥757.97
100 580 加入购物车 提交询价
APTM20HM20FTG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 200V 89...
¥746.54
100 580 加入购物车 提交询价
APTM20HM20STG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 200V 89...
¥734.77
100 580 加入购物车 提交询价
APTM100H45STG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 1...
¥1,108.42
1 8 加入购物车 提交询价
APTM50HM75STG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 46...
¥891.29
1 20 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条