晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	APTM50HM65FTG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 500V 51...		¥824.76	100	580	加入购物车提交询价
	APTM20HM16FTG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 200V 10...		¥811.88	100	580	加入购物车提交询价

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