零件状态:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APTM10HM19FT3G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 70...
¥411.77
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APTM10DSKM19T3G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70...
¥299.65
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APTM10DDAM19T3G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70...
-
1 580 提交询价
APTM50H14FT3G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 26...
¥544.05
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