- 品牌：
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- IXYS (2)
- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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38 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 49... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 36... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 36... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 66... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 900V 59... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 59... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 11... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 95... |
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IXYS | POWER MOSFET |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95... |
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 49... |
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