零件状态:
供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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BSO612CVGHUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 2...
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BSO615CT Infineon Technologies
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BSO615CT Infineon Technologies
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BSO615CT Infineon Technologies
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BSO615N Infineon Technologies
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BSO615N Infineon Technologies
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BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies
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¥8.38
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BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies
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MOSFET 2N-CH 60V 2.6...
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BSO615NGHUMA1 Infineon Technologies
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¥8.14
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BSO615NGHUMA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6...
¥3.36
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