- 零件状态:
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- 供应商器件封装:
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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- FET 功能:
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12 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 5.1... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 5.1... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 5.1... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8... |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8... |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8... |
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