供应商器件封装:
功率 - 最大值:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A...
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SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A...
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SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A...
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SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A...
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SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A...
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SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A...
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SI4622DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A...
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