- 品牌：
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- EPC (6)
- IXYS (1)
- ON Semiconductor (7)
- Texas Instruments (12)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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37 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 27A... |
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1 | 5,152 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 27A... |
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1 | 5,152 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 27A... |
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2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | POWER MOSFET |
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10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS 2N-CH 120... |
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1 | 11,681 | 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS 2N-CH 120... |
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1 | 11,681 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GAN TRANS 2N-CH 120... |
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2,500 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | FET ENGR DEV-NOT ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America Inc. | IC MOSFET N-CH |
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Renesas Electronics America Inc. | MOSFET N-CH 5.5V DU... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A... |
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Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V .1A... |
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Texas Instruments | 30-V DUAL N-CHANNE... |
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Texas Instruments | 30-V DUAL N-CHANNE... |
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1 | 97 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | 30-V DUAL N-CHANNE... |
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250 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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EPC | GANFET 2NCH 120V 3.4... |
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1 | 4,029 | 提交询价 |
