供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 50V 0.3...
¥0.38
10,000 20,000 加入购物车 提交询价
DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated
MOSFET 2 N-CH 20V X...
¥0.76
10,000 580 加入购物车 提交询价
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
¥0.63
1 580 加入购物车 提交询价
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
¥0.50
1 580 加入购物车 提交询价
2N7002DW-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
-
1 580 提交询价
DMN53D0LDW-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 50V 0.3...
¥0.52
3,000 144,000 加入购物车 提交询价
2N7002DWQ-7-F Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
¥0.52
3,000 243,000 加入购物车 提交询价
2N7002DW-7-F Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
¥0.47
3,000 552,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 8 条