- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CH 30V P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CH 30V P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 2.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8S... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 4.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 2.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V SO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 1A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
