- 系列：
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- 零件状态：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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60 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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IXYS | MOSFET 2N-CH 55V 140... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 160... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 2N-CH 55V 300... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 5.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 15A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 55V 20S... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSO... |
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1 | 14,987 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSO... |
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1 | 14,987 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSO... |
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5,000 | 10,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSO... |
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5,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
