封装/外壳:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APTC60HM35T3G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 72...
¥611.91
100 580 加入购物车 提交询价
VKM40-06P1 IXYS
MOSFET 4N-CH 600V 38...
¥534.92
1 580 加入购物车 提交询价
APTC60HM45T1G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49...
¥490.22
100 580 加入购物车 提交询价
APTC60HM70T3G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 39...
¥398.04
100 580 加入购物车 提交询价
APTC60HM70T1G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 39...
¥370.81
100 580 加入购物车 提交询价
APTM60H23FT1G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 20...
¥294.44
100 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条