零件状态:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSD235N L6327 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.9...
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SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 190V 0....
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BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.9...
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BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.9...
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BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.9...
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