- 品牌：
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- Vishay Siliconix (4)
- 封装/外壳：
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- FET 类型：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.4... |
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1 | 1,479 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.4... |
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1 | 1,479 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.4... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 4,026 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 4,026 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 5.4... |
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1 | 10,748 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 5.4... |
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1 | 10,748 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 40V 5.4... |
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2,500 | 2,500 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 20,702 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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1 | 20,702 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
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4,000 | 16,000 | 加入购物车 提交询价 |
