- 品牌:
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- NXP USA Inc. (3)
- Vishay Siliconix (3)
- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
-
- FET 功能:
-
20 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
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NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.9... |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2PCH 12V 3.9A... |
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Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 3.9A 9D... |
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Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 3.9A 9D... |
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1 | 18,063 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 3.9A 9D... |
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3,000 | 15,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.9... |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.9... |
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1 | 52,948 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 3.9... |
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2,500 | 52,500 | 加入购物车 提交询价 |