供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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AUIRF9952Q Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3...
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PHN210,118 NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8S...
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IRF9952QTRPBF Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8...
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IRF9952QTRPBF Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8...
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IRF9956TRPBF Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5...
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PHN210T,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8S...
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PHN210T,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8S...
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PHN210T,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 8S...
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AUIRF9952QTR Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3...
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MMDF2N02ER2G ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 3.6...
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IRF9956PBF Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5...
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IRF9952PBF Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8...
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IRF9952TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8...
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IRF9952TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8...
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IRF9952TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8...
¥2.48
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PHC21025,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8...
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PHC21025,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8...
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MMDF2N02ER2 ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 3.6...
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PHC21025,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8...
¥2.71
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IRF9956TR Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5...
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