零件状态:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
-
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DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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DMN61D8LVTQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW R-ON MO...
-
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SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW R-ON MO...
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SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW R-ON MO...
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DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 0.6...
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DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated
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