- 品牌：
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- 系列：
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- 封装/外壳：
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- 功率 - 最大值：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
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1 | 1,983 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
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1 | 1,983 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
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250 | 1,750 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
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1 | 13,010 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
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1 | 13,010 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
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2,500 | 12,500 | 加入购物车 提交询价 |
