- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 17A... |
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1 | 10,000 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 19A... |
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1 | 84 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A... |
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1 | 448 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 18A... |
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1 | 9,885 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A... |
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1 | 27,384 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8TI... |
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1 | 4,699 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | DIFFERENTIATED M... |
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1 | 4,942 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 30V 20... |
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1 | 4,700 | 提交询价 |
