零件状态:
功率 - 最大值:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
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APTC60DSKM45T1G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49...
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APTC60HM45T1G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 49...
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APTC60AM45BC1G Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49...
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APTC60AM45B1G Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 49...
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APTC60VDAM45T1G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49...
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APTC60DDAM45T1G Microsemi Corporation
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APTC60AM45T1G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 49...
¥333.90
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APTM100H80FT1G Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 1...
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