- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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116 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 80V 3.6... |
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1 | 5,718 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A... |
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1 | 4,135 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 9.2... |
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1 | 32,105 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9... |
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1 | 43,267 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 14A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 12V 5.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 4.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 100V ... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 12V 6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 7.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
