- 品牌：
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- 系列：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- FET 类型：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 100V ... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 2.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | QH8K51 IS THE LOW O... |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 2.3... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
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4,000 | 56,000 | 加入购物车 提交询价 |
