- 供应商器件封装：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 35V 10A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 35V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 35V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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- | MOSFET 2N-CH 20V 8A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 5.5... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 30V 6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Renesas Electronics America | MOSFET 2N-CH 60V 7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 |
