- 品牌：
-
- 供应商器件封装：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
12 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N/2P-CH 10.6... |
|
1 | 691 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4P-CH 10.6V 1... |
|
1 | 943 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 1... |
|
1 | 1,578 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4P-CH 100V 0.... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 1A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N/2P-CH 10.6... |
|
1 | 147 | 加入购物车 提交询价 |
