零件状态:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APTM50HM38FG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 90...
¥1,418.06
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APTM20HM10FG Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 200V 17...
¥1,396.14
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APTM50DHM38G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 500V 90...
¥857.49
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APTM20DHM10G Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 17...
-
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