- 品牌：
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- Diodes Incorporated (79)
- STMicroelectronics (20)
- Vishay Siliconix (112)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 功率 - 最大值：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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293 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3... |
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1 | 2,240 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.8... |
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1 | 1,944 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.7... |
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1 | 1,699 | 提交询价 | ||
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Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A... |
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1 | 2,230 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 60V 2.4... |
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1 | 4,986 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A... |
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1 | 9,876 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.5... |
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1 | 7,417 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 80V 3.6... |
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1 | 5,718 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A... |
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1 | 4,135 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 9.2... |
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1 | 32,105 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9... |
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1 | 43,267 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 75V 3.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 5.8... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 9.3... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 10A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 7.4... |
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1 | 580 | 提交询价 |
