- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 59... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 95... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95... |
|
1 | 7 | 加入购物车 提交询价 |
