封装/外壳:
供应商器件封装:
功率 - 最大值:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET 2 N-CH 20V 5....
-
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TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET 2 N-CH 20V 5....
¥3.87
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TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET 2 N-CH 20V 5....
¥1.23
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2N7002VA ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
-
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2N7002VA ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
¥3.71
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2N7002VA ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.2...
¥1.02
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DMN2050LFDB-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 3.3...
-
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DMN2050LFDB-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 3.3...
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DMN2050LFDB-13 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 3.3...
¥1.00
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PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.5...
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PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.5...
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PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.5...
¥0.80
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NX3008NBKSH Nexperia USA Inc.
MOSFET 2 N-CH 30V 35...
-
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NX3008NBKSH Nexperia USA Inc.
MOSFET 2 N-CH 30V 35...
¥3.79
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NX3008NBKSH Nexperia USA Inc.
MOSFET 2 N-CH 30V 35...
¥0.68
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DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 0.6...
-
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DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 0.6...
¥3.48
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DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 0.6...
¥0.63
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NX7002AKS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.1...
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NX7002AKS,115 Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.1...
¥3.08
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